試驗(yàn)中可能出現(xiàn)的異常情況及對(duì)策

絕緣電阻偏低

將瓷套表面擦干凈;

采用屏蔽法進(jìn)行測(cè)量。

介損異常

檢查試驗(yàn)接線(xiàn)是否正確、接觸是否良好；

排除干擾影響;

將瓷套表面及二次端子板擦干凈;

調(diào)整試驗(yàn)引線(xiàn)與試品的夾角，盡量接近90度采用不同試驗(yàn)方法。

試驗(yàn)數(shù)據(jù)的判斷

對(duì)試驗(yàn)數(shù)據(jù)的判斷方法

1)與出廠(chǎng)試驗(yàn)數(shù)據(jù)或安裝交接試驗(yàn)數(shù)據(jù)比較應(yīng)無(wú)明顯的變化。

2)與同類(lèi)產(chǎn)品比較應(yīng)無(wú)明顯的差異。

3)與歷年試驗(yàn)數(shù)據(jù)比較應(yīng)無(wú)顯著的差別。

4)試驗(yàn)結(jié)果應(yīng)符合相關(guān)規(guī)程的規(guī)。

數(shù)據(jù)異常的可能原因

1)絕緣電阻下降

a.受潮;

b.外套臟污;

c.絕緣老化變質(zhì)；

d.局部絕緣破損或擊穿。

2)介質(zhì)損耗因數(shù)增大

a.受潮或外套臟污；

b.外電場(chǎng)干擾；

試驗(yàn)引線(xiàn)或接地線(xiàn)接觸不良造成的附加損耗；

電容屏半擊穿狀態(tài)形成的附加電阻；

內(nèi)部絕緣存在局部放電缺陷；

絕緣老化、變質(zhì)造成介質(zhì)損耗增加；

介質(zhì)損耗隨試驗(yàn)電壓的下降而增加，說(shuō)明電容屏絕緣材料有雜質(zhì)。

3)電容量增加
a.個(gè)別電容元件擊穿或電容屏層間絕緣存在擊穿問(wèn)題；

電容元件或電容屏受潮；

采用反接線(xiàn)測(cè)量時(shí)高壓引線(xiàn)太長(zhǎng)(引線(xiàn)對(duì)地電容大)。

4)電容量減小

a.電容元件之間的連接線(xiàn)或電容屏引線(xiàn)斷線(xiàn)或接觸不良;

b.油浸式電容器或互感器內(nèi)部缺油。

5)直流電阻異常

a.線(xiàn)圈存在匝間短路；

b.線(xiàn)圈存在焊接不好或接觸不良、斷線(xiàn)等問(wèn)題。

6)勵(lì)磁特性異常

a.勵(lì)磁電流增加:繞組存在匝間短路，此時(shí)變比也會(huì)發(fā)生變化；

b.勵(lì)磁電流變小:繞組存在斷線(xiàn)或虛焊問(wèn)題。